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ASML的光刻技术被突破?中科院的新技术,不用EUV,实现5nm光刻

众所周知,因为中国芯这几年火热的原因,所以光刻机也是被大家所熟悉。并且很多人都知道当芯片制造技术进入到7nm以后,必然用到EUV光刻机,即紫光线光刻技术。

可能很多人对EUV光刻机不知道具体是怎么回事,其实就是使用13.5nm波长的光线来进行光刻,而在此之前是使用的193nm的光线来进行光刻的。

而13.5nm波长的光线属于紫光线了,所以称之为EUV光刻机,意思是使用紫光线的光刻机。

而EUV光刻机目前只有荷兰的ASML能够生产,而中国大陆目前还没有采购到一台EUV光刻机,所以未来ASML的EUV光刻机能不能顺利卖给中国大陆,是中国能不能实现7nm或以下芯片技术的关键设备之一。

但近日,媒体报道称,中科院发明了一项新技术,那就是不用EUV极紫外线,也能够实现5nm的光刻。

按照中科院的官方说明,他们采用双激光束(波长为405 nm)交叠技术,通过精确控制能量密度及步长,达到了最小5 nm的特征线宽。

很明显这个光的波长是405nm,不属于紫外线的范畴,甚至比193nm的光刻机使用的光,波长还要长,其原因就是因为使用了双激光束交叠技术。

但要注意的是,目前这项技术仅是实验室技术,同时也并没有明确能不能用于半导体芯片的制造中来,只是在实验中达到5nm的精度,打破了必须用EUV才能实现5nm精度的极限。

当然,任何技术的实现,都是先从理论,到实验室最后到量产,所以这项技术完全是有可能量产的,只是看要多久的时间来实现了。

而一旦量产,并能够用于芯片制造的话,那么中国的光刻机就再也不怕被卡了,那么中国芯的制造技术提升,也更有保障了。



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原文地址《 ASML的光刻技术被突破?中科院的新技术,不用EUV,实现5nm光刻》发布于2020-7-11

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